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101.
高压乙烯压缩机出入口管线振动分析及改造   总被引:1,自引:0,他引:1  
为减轻高压乙烯压缩机出入口管线的振动,采用有限元建模方法,对管线结构固有频率及各阶振型进行分析计算,详细讨论了在管线同一位置加不同约束和在不同位置加同一约束的情况对管线振动的影响.最后,结合测试数据和现场实际情况提出了改造方案.实际使用结果证明改造措施有效,达到了预期的防振效果.  相似文献   
102.
新庄孜煤矿在总结各类支护型式优缺点的基础上 ,大力推广应用锚注支护技术 ,先后在修复高应力软岩冒落架棚巷道、修复砌碹巷道、修复大断面峒室等施工中灵活使用锚注支护技术 ,均取得良好的支护效果和显著的技术经济效益  相似文献   
103.
钽铌水冶分解提取工艺及设备的进展   总被引:6,自引:4,他引:2  
介绍了近些年来我国钽铌湿法冶炼中的资源结构,氢氟酸分解、矿浆萃取工艺以及工艺设备的进展情况。比较了主要工艺过程的技术经济指标,指出了当前生产中存在的一些问题,并提出了解决问题的一些意见。  相似文献   
104.
静压下ZnS:Te中Te等电子陷阱的发光   总被引:2,自引:2,他引:0  
研究了4块ZnS:Te薄膜样品(Te组分从0.5%到3.1%)的光致发光谱在常压下的温度特性.对于Te组分较小的2块样品观察到2个发光峰,分别来自Te1和Te2等电子陷阱;而对Te组分较大的2块样品则只观察到1个来自Te2等电子陷阱的发光.我们还研究了这些发光峰在低温1.5K下的流体静压压力行为.观察到与Te1有关的发光峰压力系数比ZnS带边的要大很多,而与Te2有关的发光峰压力系数则比带边小.根据Koster-Slater模型,价带态密度半宽随压力的增加是Te1中心有较大压力系数的主要原因,而Te1和Te2中心的不同压力行为则是由于压力对两者缺陷势增强的不同效果引起的.  相似文献   
105.
一种测量建筑材料和土壤氡面析出率的新方案   总被引:2,自引:1,他引:1  
韩学辉  刘鸿福 《核技术》2003,26(10):795-798
在分析了直接测量法测量氡面析出率的原理和影响测量效果各因素的基础上,对建筑材料、土壤氡面析出率的测量方案进行了探讨,并提出了一种新的测量方案。该方案能够较好地克服氡面析出率测量中各种因素的影响,并且具有装置简单、可大批量重复测量、成本低等优点。  相似文献   
106.
吉林闹枝金矿床黄铁矿的标型特征研究   总被引:5,自引:0,他引:5  
从成因矿物学及找矿矿物学的观点出发,系统地研究了闹枝金矿床黄铁矿的形态、粒度、化学成分、热电性、硫同位素方面的标型特征,为矿床的成因研究和深部远景评价提供了矿物学依据。  相似文献   
107.
支持下一代无线宽带应用自适应QoS模型的研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
作为真正完整的下一代网络 ( NGN,Next Generation Network)解决方案 ,NGN需要在固定通信领域和移动通信领域都能够支持综合多媒体特性。NGN中的新一代移动通信网承载在开放式、层次化结构的分组交换网络之上 ,能够为用户提供端到端的 Qo S解决方案。本文分析了下一代移动通信系统中多媒体宽带应用的 Qo S问题 ,从无线通信系统的多层次结构出发 ,建立了业务流的 Qo S指标评判体系 ,为下一代网络中的无线宽带应用提供了一种自适应Qo S控制模型  相似文献   
108.
掺硼非晶硅薄膜的微结构和电学性能研究   总被引:3,自引:0,他引:3  
以硅烷(SiH4)和硼烷(B2H6)为气相反应先驱体,采用等离子体增强化学气相沉积法,(PECVD)制备出能应用于液晶光阀光导层的硼掺杂非晶氢硅薄膜。X射线衍射、原子力显微镜和光、暗电导测试表明,一定程度的硼掺杂提高了非晶氢硅薄膜的电导率、降低了非晶氢硅薄膜的光、暗电导比;硼掺杂促进薄膜晶态率的增加和硅晶粒尺寸的增大,薄膜的结晶状态将逐渐从非晶硅过渡到纳米硅,最后发展为多晶硅。红外吸收谱研究表明了大量的硼原子与硅、氢原子之间能形成某些形式的复合体,仅有少量硼元素对受主掺杂有贡献。  相似文献   
109.
含铝炸药爆压及能量释放过程的研究   总被引:4,自引:3,他引:1       下载免费PDF全文
利用有机玻璃法计算了不同配方的含铝炸药的爆压,并根据有机玻璃中冲击波的传播轨迹分析比较了不同含铝炸药的能量释放过程。结果表明,RDX/APP比例一定时,铝含量增加,含铝炸药的爆压减小,后期释放的能量增加。铝含量一定时,随RDX/AP比值的增大,含铝炸药的爆压增加,后期释放的能量基本一致。  相似文献   
110.
详细介绍了采用两片浮点DSP ADSP21062实现某舰载雷达所需要完成的舰速补偿、反异步干扰和脉冲压缩的系统研制。通过采用分段匹配滤波的方法,极大地节约了时间和空间。与完成同样功能采用单片TMS320C6701的设计相比,本设计具有外围电路简单、系统调试容易等优点。  相似文献   
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